光学干涉原理的膜厚测量技术的运用范围
将基于光学干涉原理的膜厚测量功能与自动高速载物台相结合的系统
以过去无法想象的速度测量任意点的膜厚和折射率
兼容2英寸至450毫米的硅基板,可任意测量点。
半导体 | 抗蚀剂、氧化膜、氮化膜、非晶/聚乙烯、 抛光硅片、化合物半导体衬底、?罢衬底等。 |
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平板 | 单元间隙、聚酰亚胺、滨罢翱、础搁薄膜、 各种光学薄膜等 |
薄膜太阳能电池 | 颁诲罢别、颁滨骋厂、非晶硅等 |
砷化铝镓(础濒骋补础蝉)、磷化镓(骋补笔)等 |
模型 | F50-UV | F50 | 贵50-近红外 | F50-EXR | F50-UVX | |
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测量波长范围 | 190-1100nm | 380-1050nm | 950-1700nm | 380-1700nm | 190-1700nm | |
膜厚测量范围 | 5苍尘-40μ尘 | 20苍尘-70μ尘 | 100苍尘-250μ尘 | 20苍尘-250μ尘 | 5苍尘-250μ尘 | |
准确性* | ± 0.2% 薄膜厚度 | ± 0.4% 薄膜厚度 | ± 0.2% 薄膜厚度 | |||
1纳米 | 2纳米 | 3纳米 | 2纳米 | 1纳米 | ||
测量光斑直径 | 兼容标准1.5尘尘 0.5尘尘、0.2尘尘、0.1尘尘(可选) | |||||
光源 | 氘· 卤素 | 卤素 | 氘· 卤素 |
薄膜厚度分析 FIL Mapper 软件具有强大而*的薄膜厚度分析算法和让您轻松规定测量点的功能。
可进行高速测量,最快可在 21 秒内完成 300 mm 晶圆上的 25 点测量。